产品说明: 采用**阱结构的DFB激光器,采用高功率DFB芯片,功率可达到60mW,线宽窄200kHZ,内置半导体制冷器,先进的激光焊接工艺实现蝶形尾纤式封装,结构紧凑,体积小,在光纤通信领域得到广泛应用;半导体制冷器高精度温度控制下,激光器功率高稳定、波长高稳定的优势,使得激光器在光纤传感器领域得到广泛应用。 特点: MQW-DFB **阱结构 低阈值电流、高斜率效率 内置半导体制冷器、内置监控探测器 气密性封装、激光焊接工艺、高可靠性、高稳性 应用: 光纤通信 光仪表(光源、OTDR) 光纤气体传感器(光源) 极限参数: 参数 符号 参数值 单位 激光二极管正向电流 If(LD) 500 mA 激光二极管反向电压 Vr(LD) 2 V 背光探测器工作电流 If(PD) 2 mA 背光探测器反向电压 Vr(PD) 20 V 致冷器工作电流 ITEC 2.4 A 致冷器工作电压 VTEC 2.9 V 工作温度 Topr -20~+70 ℃ 存储温度 Tstg -40~+85 ℃ 引线焊接温度/时间 Tsld 260/10 ℃/s